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令和2年1月 一陸技「無線工学の基礎」B-3

B-3 次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)増幅回路において、D-G間静電容量CDG[F]の高い周波数における影響について述べたものである。▭内に入れるべき字句を下の番号から選べ。なお、同じ記号の内には、同じ字句が入るものとする。
また、図2は、高い周波数では静電容量Cs、C1及びC2、のリアクタンスが十分小さくなるものとして表した等価回路である。

落ち着いて解けば、解ける??

 

まず、アから!

図2を見ましょう!C_{DS}R_D, R_Lたちの並列が直列に繋がってます。回路全体で、V_iR_D, R_LたちにはV_oの電圧が掛かっていますから、C_{DS}には、V_i-V_oの電圧が掛かっていることになります。

ですので、

I_G=\frac{V_i-V_o}{(1-j\omega\C_{DG})}

よりアが求まります。

この式を整理すれば、

I_G=\frac{V_i-V_o}{(1-j\omega\C_{DG})}=j\omega\C_{DG}(1-\frac{V_o}{V_i})V_i

でイが求まって、さらにこれは、

I_G=j\omega\C_{DG}(1+A_V)V_i

でウが求まります。

本来、V_iはGS間の電圧ですから、添え字を考えるとC_iはGS間に接続された静電容量です。

このように、C_{DG}の静電容量が等価的に1+A_Vとなって入力静電容量として表れる効果をミラー効果といいます。

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