令和3年1月1回目一陸技「無線工学の基礎」A-12

A-12 図に示すトランジスタ(Tr)の自己バイアス回路において、コレクタ電流Icを3[mA]にするためのベース電流IBと抵抗RBの値の組合せとして、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Trのエミッタ接地直流電流増幅率 hFEを150、回路のベースーエミッタ間電圧VBEを0.6[V]とする。

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懐かしい〜！！

ます、トランジスタの場合、

$I_C=h_{FE}I_B$

が成り立つので、

$I_B=\frac{I_C}{h_{FE}}=\frac{3}{150}=0.02[mA]$

次に、以下が成り立ちます。

$V=(I_B+I_C)R_C+V_{CE}$

$R_C$ には分岐する前の和の電流が流れていることに注意です。

よって、

$V_{CE}=V-(I_B+I_C)R_C=12-((0.02+3)\times 10^{-3})\times 2\times10^3=5.96$

このことより、 $R_B$ には $V_{CE}$ と $V_{BE}$ の差分の電圧が掛かりますから

$R_B=\frac{V_{CE}-V_{BE}}{I_B}=\frac{5.96-0.6}{0.02}=268[k\Omega]$

答えは2です！（イェーイ）

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